為什么IGBT模塊中頻爐比可控硅（串聯(lián)諧振）中頻電爐更具有優(yōu)勢(shì)：

1、IGBT模塊為可自關(guān)斷大功率三極管與MOS管的組合器件，不需要外部電路使其換相關(guān)斷。因此設(shè)備保護(hù)可靠，穿爐、搭鐵、接地、水冷電纜燒斷都非常不易損壞IGBT模塊，其損壞率低于可控硅中頻爐。

2、IGBT模塊的通電回路中，無(wú)需限制電流上升率的空芯電感，使得其工作效率明顯提高。

3、IGBT模塊無(wú)需空芯電感，使得感應(yīng)器上沒(méi)有電流換相毛刺。這樣感應(yīng)器匝間不易擊穿打火，爐襯壽命也相對(duì)延長(zhǎng)。

4、IGBT模塊中頻爐，在整個(gè)熔化周期中，爐體得到的有功功率（即負(fù)載功率因數(shù)）比可控硅中頻爐要高，因此效率也明顯提高。

主要技術(shù)參數(shù)：