您知道IGBT節(jié)能爐為什么節(jié)能嗎？

原因一：逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，

節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源

逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大降低。

原因二：功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小，此部分

比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用

了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過程

功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小。

原因三：爐體熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率

可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱

量可占整個(gè)過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。