(1)中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達(dá)到滿功率輸出，并且可保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所以IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；

中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。

(2)節(jié)能型晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：

A、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

B、功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。

由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過(guò)程功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功率損耗小。

B、 爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過(guò)程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。